| 型号： | SPD11N10 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| SPD11N10 PDF |  |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 22/Feb/2008 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 系列 | SIPMOS® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 170 毫欧 @ 7.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 21µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 18.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | P-TO252-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SP000013847 SPD11N10INTR SPD11N10XT SPD11N10XT-ND |